うめAUDIO(仮称)

基板セット解説 UM-HPAMP003 (Rev1.00)

[2012/05/25 更新]

　

A47ダブルバッファアンプ 　47mm×72mm基板サイズの小基板サブボードにDCサーボ付きのMeierタイプ直列＋バッファ２つ並列にしたアンプを実装したものです。 　 　 　 部品表 部品番号 部品 数 入手先 備考 --- UM-HPAMP003-6 1 本基板 　 R1,R6 4.7KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記4.7KΩ 3.3KΩ〜7.5KΩ この基板はシルクに部品番号がありませんがR1〜R12まで中央下から順に上へ並んでいます(左右それぞれ) R2,R7 1KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1KΩ　※１ R3,R8 2.2KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記4.7KΩ 2.2KΩ〜4.7KΩ　※１ R4 100Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω R5 1KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1KΩ R9 10Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10Ω R10,R11 1MΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記470KΩ 470KΩ〜1MΩ R12 10KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10KΩ R20,R21 100Ω 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10Ω(A47バッファの下)　※４ R22 4.7Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記47Ω(R1〜R12群とA47バッファOPAMPの間)　※２ R23,R24 4.7Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記47Ω(A47バッファOPAMPの上)　※２ R30 10Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10Ω(上部) C1,C2 470uF 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記470uF 電解コンデンサ100uF〜1000uFあたりで自由に 低ESR品推奨 C3,C4 47pF 面実装 4 マルツ/千石/秋月 シルク表記47pF(裏面) 2012サイズのチップフィルム推奨 C5,C6 1uF 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1uF 裏面にも面実装用のパターンあり、リード部品またはチップ部品どちらでも良い 秋月扱いの2.54ピッチ積層セラミックが便利 C10 0.047uF 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記0.047uF フィルムコンデンサ推奨 0.047uF〜1uF C20,C21,C22,C23, C24,C25,C26, C30,C31,C32 0.1uF 面実装 13 マルツ/千石/秋月 シルク表記0.1uF(裏面) 2012サイズのチップフィルム推奨 1st,2nd MUSES8820等 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 任意のデュアルOPAMP A47buff MUSES8920等 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 任意のデュアルOPAMP Servo OP275G/OPA2134PA 1 ビスパ/マルツ/千石/秋月 出力オフセットが小さく出力電流がそこそことれるOPAMP推奨 --- ピンフレーム 9P 4 秋月 こちらの20Pタイプを切断。 出力信号側は2P-3P-2Pとなるよう足部両端をカット。 ※３ --- ICソケット8P 5 マルツ/千石/秋月 OPAMPを色々変えて楽しめるためソケット式のほうが容易です --- ICソケット - マルツ/千石/秋月 適宜抵抗やコンデンサの実装をソケット経由にして差し替え 補足 ※１：(R2+R3)/R2, (R7+R8)/R7 がそれぞれ前段と後段のゲイン設定となります。入力ボリュームとR1,R4+R5とR6で分圧になりトータルのゲインは下がりますのでR1〜R8まで全てが仕上がりのゲインに影響します。 ※２：この合成抵抗はOPAMPによってはかなり小さく出来ますが発振する場合は大きくして下さい。大きくすると出力電流がとれなくなりますが安定はします。 ※３：ここのGNDは基板パターンの面積が広く熱が逃げやすいため、液体のフラックスをスルーホール内にもたっぷり塗ってから90W以上のハイパワーな半田ゴテで一気に熱して半田付けをする必要があります。難易度が高くなってしまってすみませんが頑張って付けて下さい。また、このピンフレームはきちんと垂直に付けないと小基板の着脱が非常に面倒になります。出力信号側は2P-3P-2Pとなるよう途中未使用ピンがありますが、未使用のところにはリード足の余りなどを刺しておいて小基板を逆向きに実装してしまわないような逆指し防止としておく事を勧めます。 ※４：様々なユニティゲインOPAMPで使うためにこの入力抵抗を100Ω〜470Ωくらい大きくしておくほうが良いかもしれません。AD8397など大電力が扱えるOPAMPで過電流による熱暴走の抑止になります。 ・アンプ部に使用する抵抗は温度で変化しやすいカーボンは不利です。精度も欲しいので金属皮膜抵抗や巻き線抵抗が理想ということになります。 ・１段目に使う1stと２段目に使う2ndの各OPAMPは品種によってR1〜R8まで最適な定数というのは違います。ここで紹介している代表値はかなり多くの種類のFET入力OPAMP及びバイポーラ入力のOPAMPを鳴らす事ができる比較的万能な定数設定になっていますが最適化されているわけではないため性能がやや落ちる可能性があることを考慮して下さい。 ・A47バッファに使用するOPAMPは1st,2ndと別の品種が使えますが組み合わせによっては発振する可能性もあるので注意して下さい。R22〜R24を調整する必要がある場合も考えられます。R23とR24は同じ定数に、R22はR23,R24より大きくした方が良い場合と小さくした方が良い場合がありソケット式にしておいて抵抗値を簡単に変更できるようにしておくことを勧めます。

　

ダイヤモンドバッファアンプ 　47mm×72mm基板サイズの小基板サブボードにDCサーボ付きのMeierタイプ直列＋ダイヤモンドバッファアンプを実装したものです。 　 　 　 部品表 部品番号 部品 数 入手先 備考 --- UM-HPAMP003-8 1 本基板 　 R1,R6 4.7KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記4.7KΩ 3.3KΩ〜7.5KΩ この基板はシルクに部品番号がありませんがR1〜R12まで中央下から順に上へ並んでいます(左右それぞれ) R2,R7 1KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1KΩ　※１ R3,R8 2.2KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記4.7KΩ 2.2KΩ〜4.7KΩ　※１ R4 100Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω R5 1KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1KΩ R9 100Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω R10,R11 1MΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記470KΩ 470KΩ〜1MΩ R12 10KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10KΩ R20,R21 4.7KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記4.7KΩ(トランジスタ４本の間) R22,R23 100Ω 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω(トランジスタ４本の間) R27,R28 10Ω 1W〜2W 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10Ω(トランジスタ終段の上) R30 10Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10Ω(上部) C1,C2 470uF 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記470uF 電解コンデンサ100uF〜1000uFあたりで自由に 低ESR品推奨 C3,C4 47pF 面実装 4 マルツ/千石/秋月 シルク表記47pF(裏面) 2012サイズのチップフィルム推奨 C5,C6 1uF 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1uF 裏面にも面実装用のパターンあり、リード部品またはチップ部品どちらでも良い 秋月扱いの2.54ピッチ積層セラミックが便利 C7 2.2uF 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1uF 1uF〜4.7uF C10 0.047uF 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記0.047uF フィルムコンデンサ推奨 0.047uF〜1uF C20,C21,C22,C23, C24,C25,C26 0.1uF 面実装 7 マルツ/千石/秋月 シルク表記0.1uF(裏面) 2012サイズのチップフィルム推奨 1st,2nd MUSES8920等 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 任意のデュアルOPAMP Servo OP275G/OPA2134PA 1 ビスパ/マルツ/千石/秋月 出力オフセットが小さく出力電流がそこそことれるOPAMP推奨 U1 2SC3421Y 2 マルツ/秋月 ECB配列、1W級のトランジスタが望ましい U2 2SA1358Y 2 マルツ/秋月 ECB配列、1W級のトランジスタが望ましい U3 2SA1015Y-L 2 ビスパ/マルツ/秋月 ECB配列、ローノイズのトランジスタが望ましい U4 2SC1815Y-L 2 ビスパ/マルツ/秋月 ECB配列、ローノイズのトランジスタが望ましい --- ピンフレーム 9P 4 秋月 こちらの20Pタイプを切断。 出力信号側は2P-3P-2Pとなるよう足部両端をカット。 ※３ --- ICソケット8P 3 マルツ/千石/秋月 OPAMPを色々変えて楽しめるためソケット式のほうが容易です --- ICソケット - マルツ/千石/秋月 適宜抵抗やコンデンサの実装をソケット経由にして差し替え 補足 ※１：(R2+R3)/R2, (R7+R8)/R7 がそれぞれ前段と後段のゲイン設定となります。入力ボリュームとR1,R4+R5とR6で分圧になりトータルのゲインは下がりますのでR1〜R8まで全てが仕上がりのゲインに影響します。 ※２：この合成抵抗はOPAMPによってはかなり小さく出来ますが発振する場合は大きくして下さい。大きくすると出力電流がとれなくなりますが安定はします。 ※３：ここのGNDは基板パターンの面積が広く熱が逃げやすいため、液体のフラックスをスルーホール内にもたっぷり塗ってから90W以上のハイパワーな半田ゴテで一気に熱して半田付けをする必要があります。難易度が高くなってしまってすみませんが頑張って付けて下さい。また、このピンフレームはきちんと垂直に付けないと小基板の着脱が非常に面倒になります。出力信号側は2P-3P-2Pとなるよう途中未使用ピンがありますが、未使用のところにはリード足の余りなどを刺しておいて小基板を逆向きに実装してしまわないような逆指し防止としておく事を勧めます。 ・アンプ部に使用する抵抗は温度で変化しやすいカーボンは不利です。精度も欲しいので金属皮膜抵抗や巻き線抵抗が理想ということになります。 ・１段目に使う1stと２段目に使う2ndの各OPAMPは品種によってR1〜R8まで最適な定数というのは違います。ここで紹介している代表値はかなり多くの種類のFET入力OPAMP及びバイポーラ入力のOPAMPを鳴らす事ができる比較的万能な定数設定になっていますが最適化されているわけではないため性能がやや落ちる可能性があることを考慮して下さい。 ・終段バイアスはR22,R23及びR27,R28の選定で調整します。載せるトランジスタの品種を変える場合には適宜変更して下さい。 ・C7は使用する終段のトランジスタによっては発振する場合があるため値を小さくして調整するなどして下さい。

　

MOS-FETバッファアンプ 　47mm×72mm基板サイズの小基板サブボードにDCサーボ付きのMeierタイプ直列＋MOSFETバッファアンプを実装したものです。 　 　 　 部品表 部品番号 部品 数 入手先 備考 --- UM-HPAMP003-9 1 本基板 　 R1,R6 4.7KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記4.7KΩ 3.3KΩ〜7.5KΩ この基板はシルクに部品番号がありませんがR1〜R12まで中央下から順に上へ並んでいます(左右それぞれ) R2,R7 1KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1KΩ　※１ R3,R8 2.2KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記4.7KΩ 2.2KΩ〜4.7KΩ　※１ R4 100Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω R5 1KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1KΩ R9 100Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω R10,R11 1MΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記470KΩ 470KΩ〜1MΩ R12 10KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10KΩ R20,R21 1KΩ 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1KΩ(電解コンデンサの上) R22 2.2KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記2.2KΩ(R20,R21の上) R23 VR 5KΩ 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記5KΩ(R20,R21の上) R24 100Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω(バッファ部中央) 左右バラつく場合の調整を考えると200Ω〜500Ω多回転ポテンショメータの使用推奨 R25,R26 100Ω 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記100Ω(MOS-FET終段の下) R27,R28 1Ω 1W〜2W 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1Ω(MOS-FET終段の上) R30 10Ω 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記10Ω(上部) C1,C2 470uF 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記470uF 電解コンデンサ100uF〜1000uFあたりで自由に 低ESR品推奨 C3,C4 47pF 面実装 4 マルツ/千石/秋月 シルク表記47pF(裏面) 2012サイズのチップフィルム推奨 C5,C6 1uF 4 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記1uF 裏面にも面実装用のパターンあり、リード部品またはチップ部品どちらでも良い 秋月扱いの2.54ピッチ積層セラミックが便利 C10 0.047uF 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 シルク表記0.047uF フィルムコンデンサ推奨 0.047uF〜1uF C20,C21,C22,C23, C24,C25,C26, C31,C32 0.1uF 面実装 11 マルツ/千石/秋月 シルク表記0.1uF(裏面) 2012サイズのチップフィルム推奨 D1,D2 1S4007 4 マルツ/千石/秋月 このVfでバイアス電圧を作っているので1S1555,1S1588互換などのスイッチングダイオードでも良い 1st,2nd MUSES8920等 2 ビスパ/マルツ/千石/秋月 任意のデュアルOPAMP Servo OP275G/OPA2134PA 1 ビスパ/マルツ/千石/秋月 出力オフセットが小さく出力電流がそこそことれるOPAMP推奨 U1 2SK213/2SK214 2 共立/若松 隣り合うMOS-FETとのショート注意、放熱板部分に間に絶縁テープ推奨 U2 2SJ76/2SJ77 2 共立/若松 隣り合うMOS-FETとのショート注意、放熱板部分に間に絶縁テープ推奨 --- ピンフレーム 9P 4 秋月 こちらの20Pタイプを切断。 出力信号側は2P-3P-2Pとなるよう足部両端をカット。 ※３ --- ICソケット8P 3 マルツ/千石/秋月 OPAMPを色々変えて楽しめるためソケット式のほうが容易です --- ICソケット - マルツ/千石/秋月 適宜抵抗やコンデンサの実装をソケット経由にして差し替え 補足 ※１：(R2+R3)/R2, (R7+R8)/R7 がそれぞれ前段と後段のゲイン設定となります。入力ボリュームとR1,R4+R5とR6で分圧になりトータルのゲインは下がりますのでR1〜R8まで全てが仕上がりのゲインに影響します。 ※２：この合成抵抗はOPAMPによってはかなり小さく出来ますが発振する場合は大きくして下さい。大きくすると出力電流がとれなくなりますが安定はします。 ※３：ここのGNDは基板パターンの面積が広く熱が逃げやすいため、液体のフラックスをスルーホール内にもたっぷり塗ってから90W以上のハイパワーな半田ゴテで一気に熱して半田付けをする必要があります。難易度が高くなってしまってすみませんが頑張って付けて下さい。また、このピンフレームはきちんと垂直に付けないと小基板の着脱が非常に面倒になります。出力信号側は2P-3P-2Pとなるよう途中未使用ピンがありますが、未使用のところにはリード足の余りなどを刺しておいて小基板を逆向きに実装してしまわないような逆指し防止としておく事を勧めます。 ・アンプ部に使用する抵抗は温度で変化しやすいカーボンは不利です。精度も欲しいので金属皮膜抵抗や巻き線抵抗が理想ということになります。 ・１段目に使う1stと２段目に使う2ndの各OPAMPは品種によってR1〜R8まで最適な定数というのは違います。ここで紹介している代表値はかなり多くの種類のFET入力OPAMP及びバイポーラ入力のOPAMPを鳴らす事ができる比較的万能な定数設定になっていますが最適化されているわけではないため性能がやや落ちる可能性があることを考慮して下さい。 ・終段のバイアスとオフセットを調整する時はサーボOPAMP及び増幅段の1st,2ndOPAMPを実装しない状態で行います。 ・終段バイアスはR24で調整します電源投入前に0Ωから開始されるようにして下さい。オフセットの調整をしながら何度か往復調整します。1Ωのソース抵抗両端の電圧を測ってアイドリング電流が20mA程度になるようにして下さい。(1Ωなので電圧値がそのまま電流値) ・終段オフセットはR23で調整します。バイアスの調整をしながら何度か往復調整します。 この基板UM-HPAMP003-9は、MOS-FETが廃盤になっている事から、次のリビジョンからは撤廃になる予定です

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